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SGS5N150UFTU中文资料

SGS5N150UFTU图片

SGS5N150UFTU外观图

  • 大小:289.9KB
  • 厂家:Fairchild Semiconductor
  • 描述: Transistor; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:10A; Collector Emitter Voltage, Vces:1500V; Power Dissipation, Pd:20W; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:1.5kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:IGBT - 单路
  • 系列:-
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1500V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开):5.5V @ 10V,5A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):10A
  • 功率 - 最大:50W
  • 输入类型:标准型
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220F
  • 包装:管件

SGS5N150UFTU供应商

更新时间:2023-01-28 17:09:27
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